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2N5031中文资料

2N5031图片

2N5031外观图

  • 大小：83.37KB
  • 厂家：MICROSEMI [Microsemi Corporation]
  • 描述：RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
  • 现有数量：0现货
  • 价格：停产
  • 系列：-
  • 包装：散装
  • 产品状态：停产
  • 晶体管类型：NPN
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：10V
  • 频率 - 跃迁：400MHz
  • 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：-
  • 增益：12dB @ 400MHz
  • 功率 - 最大值：200mW
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：25 @ 1mA，6V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20mA
  • 工作温度：-
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-206AF，TO-72-4 金属罐
  • 供应商器件封装：TO-72

2N5031供应商

更新时间:2023-01-06 13:59:26
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